单项选择题
A.与绝大多数双极型集成电路一样的PN结隔离B.介质隔离C.介质隔离和PN结隔离D.自隔离
可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。A.二氧化硅B.氮化硅C.磷硅玻璃D.氧化铝
单项选择题可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。
A.二氧化硅B.氮化硅C.磷硅玻璃D.氧化铝
芯片共晶焊接工艺所用的金-硅合金的熔点是（）A.221℃B.323℃C.370℃D.390℃
单项选择题芯片共晶焊接工艺所用的金-硅合金的熔点是（）
A.221℃B.323℃C.370℃D.390℃
芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）A.280℃B.220℃C.320℃D.350℃
单项选择题芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）
A.280℃B.220℃C.320℃D.350℃
