单项选择题
A.二氧化硅B.氮化硅C.磷硅玻璃D.氧化铝
芯片共晶焊接工艺所用的金-硅合金的熔点是（）A.221℃B.323℃C.370℃D.390℃
单项选择题芯片共晶焊接工艺所用的金-硅合金的熔点是（）
A.221℃B.323℃C.370℃D.390℃
芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）A.280℃B.220℃C.320℃D.350℃
单项选择题芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）
A.280℃B.220℃C.320℃D.350℃
芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金，共熔点是为（）A.320℃B.356℃C.380℃D.280℃
单项选择题芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金，共熔点是为（）
A.320℃B.356℃C.380℃D.280℃
