单项选择题
A.负胶B.正胶C.光刻胶
光刻要求晶圆片表面存在的图案与掩膜版上的图形对准,此特性指标称为()。A.套准精度B.特征尺寸C.分辨率D.工...
单项选择题光刻要求晶圆片表面存在的图案与掩膜版上的图形对准,此特性指标称为()。
A.套准精度B.特征尺寸C.分辨率D.工艺宽容度
晶圆加工的基本流程顺序为()。(1)切片(2)外形整理(3)研磨(4)倒角(5)清洗(6)抛光A.(1)(2)...
晶圆加工的基本流程顺序为()。(1)切片(2)外形整理(3)研磨(4)倒角(5)清洗(6)抛光
A.(1)(2)(3)(4)(5)(6)B.(2)(1)(4)(3)(6)(5)C.(1)(2)(4)(3)(5)(6)D.(2)(1)(3)(4)(6)(5)
下面哪种方式也称为湿法去胶?()A.等离子去胶B.溶剂去胶C.氧化去胶D.三氯乙烯去胶
单项选择题下面哪种方式也称为湿法去胶?()
A.等离子去胶B.溶剂去胶C.氧化去胶D.三氯乙烯去胶