单项选择题
晶圆加工的基本流程顺序为()。(1)切片(2)外形整理(3)研磨(4)倒角(5)清洗(6)抛光
A.(1)(2)(3)(4)(5)(6)B.(2)(1)(4)(3)(6)(5)C.(1)(2)(4)(3)(5)(6)D.(2)(1)(3)(4)(6)(5)
下面哪种方式也称为湿法去胶?()A.等离子去胶B.溶剂去胶C.氧化去胶D.三氯乙烯去胶
单项选择题下面哪种方式也称为湿法去胶?()
A.等离子去胶B.溶剂去胶C.氧化去胶D.三氯乙烯去胶
下图属于什么光刻机?()A.接触式光刻机B.步进扫描光刻机C.分布重复光刻机D.接近式光刻机
下图属于什么光刻机?()
A.接触式光刻机B.步进扫描光刻机C.分布重复光刻机D.接近式光刻机
对于0.25um及以下的隔离技术采用以下()方式。A.局部氧化隔离B.PN结隔离C.PN结-介质隔离D.浅槽隔...
单项选择题对于0.25um及以下的隔离技术采用以下()方式。
A.局部氧化隔离B.PN结隔离C.PN结-介质隔离D.浅槽隔离