填空题
熔体性质;凝固速度;搅拌情况;杂质扩散系数
由于生长速度和熔体搅拌综合作用,导致平衡分凝系数和实际分凝系数不相等,为了反映分凝实际情况用()代替K0。
填空题由于生长速度和熔体搅拌综合作用,导致平衡分凝系数和实际分凝系数不相等,为了反映分凝实际情况用()代替K0。
理论分析和实践证明,同一熔体分凝系数大小和()、()有关。
填空题理论分析和实践证明,同一熔体分凝系数大小和()、()有关。
当杂质的K0大于1时,杂质的引入使硅熔点(),固相中杂质浓度(),杂质在硅单晶头部聚集。
填空题当杂质的K0大于1时,杂质的引入使硅熔点(),固相中杂质浓度(),杂质在硅单晶头部聚集。