计算题 晶体管穿通后的特性如何变化？某晶体管的基区杂质浓度N_B=10¹⁹cm^-3，集电区的杂质浓度N_C=5×10¹⁵cm^-3，基区的宽度W_B=0.3μm，集电区宽度W_C=10μm，求晶体管的击穿电压。

硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅Tjm=200℃，...

问答题硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅T_jm=200℃，锗T_jm=100℃）

已知npn非均匀基区晶体管的有关参数为xjc=5μm，xje=3μm，电子扩散系数Dn=8cm2/s，τn=1...

问答题已知npn非均匀基区晶体管的有关参数为x_jc=5μm，x_je=3μm，电子扩散系数D_n=8cm²/s，τ_n=1μs，本征基区方块电阻R_sB=2500Ω，R_sE=5Ω计算其电流放大系数α、β。

硅npn晶体管的材料参数和结构如下： 计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数αT，VBE=0.55V，计...

问答题

硅npn晶体管的材料参数和结构如下：

计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数α_T，V_BE=0.55V，计算复合系数δ，并由此计算晶体管的共发射极电流放大系数β。