计算题 硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅T_jm=200℃，锗T_jm=100℃）

已知npn非均匀基区晶体管的有关参数为xjc=5μm，xje=3μm，电子扩散系数Dn=8cm2/s，τn=1...

问答题已知npn非均匀基区晶体管的有关参数为x_jc=5μm，x_je=3μm，电子扩散系数D_n=8cm²/s，τ_n=1μs，本征基区方块电阻R_sB=2500Ω，R_sE=5Ω计算其电流放大系数α、β。

硅npn晶体管的材料参数和结构如下： 计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数αT，VBE=0.55V，计...

问答题

硅npn晶体管的材料参数和结构如下：

计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数α_T，V_BE=0.55V，计算复合系数δ，并由此计算晶体管的共发射极电流放大系数β。

已知硅p+n结n区电阻率为1Ω·cm，求pn结的雪崩击穿电压，击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。（硅pn结Ci...

问答题已知硅p⁺n结n区电阻率为1Ω·cm，求pn结的雪崩击穿电压，击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。（硅pn结C_i=8.45×10^-36cm^-1，锗pn结C_i=6.25×10^-34cm^-1）