MOS晶体管的（）可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力，其值越（），则表示这种控制能力也越强。

已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）A....

单项选择题已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为10¹⁷/cm³，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）

已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。A.大于B.小于C.等于D.无法判断

单项选择题已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。

N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。A.正，电子积累B.负，电子积...

单项选择题N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。