已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为10¹⁷/cm³，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）

已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。A.大于B.小于C.等于D.无法判断

单项选择题已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。

N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。A.正，电子积累B.负，电子积...

单项选择题N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。

一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的A.正，正B...

单项选择题一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的