计算题 有两个pn结，其中一个结的杂质浓度N_D=5×10¹⁵cm^-3，N_A=5×10¹⁷cm^-3另一个结的杂质浓度，N_D=5×10¹⁷cm^-3，N_A=5×10¹⁹cm^-3，在室温全电离近似下分别求它们的接触电势差，并解释为什么杂质浓度不同接触电势差的大小也不同。

半导体中载流子浓度n0=1014cm-3，本征载流子浓度ni=1010cm-3，非平衡空穴浓度，非平衡空穴的寿...

问答题半导体中载流子浓度n₀=10¹⁴cm^-3，本征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3，非平衡空穴浓度，非平衡空穴的寿命τn₀=10^-6s，计算电子-空穴的复合率，计算载流子的费米能级和准费米能级、能级和准费米能级。

砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。

问答题砷化镓中施主杂质浓度为10¹⁶cm^-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。

硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。

问答题硅中受主杂质浓度为10¹⁷cm^-3，计算在300K下的载流子浓度n₀和p₀。