单项选择题
A.18 B.20 C.22 D.26
墨点中心偏移:墨点的中心偏移正常位置超过()mils的,REJ。A.10B.15C.20D.25
单项选择题墨点中心偏移:墨点的中心偏移正常位置超过()mils的,REJ。
A.10 B.15 C.20 D.25
背面破损:芯片厚度≤280um,背崩宽度Y大于1/2芯片厚度,芯片厚度>280um,背崩宽度Y>()um。A....
单项选择题背面破损:芯片厚度≤280um,背崩宽度Y大于1/2芯片厚度,芯片厚度>280um,背崩宽度Y>()um。
A.120um B.130um C.140um D.150um
背面破损:背崩高度Z大于()芯片厚度。A.2/3B.1/3C.3/4D.1/2
单项选择题背面破损:背崩高度Z大于()芯片厚度。
A.2/3 B.1/3 C.3/4 D.1/2