干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。

各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。

判断题各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。

光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。

判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。

投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。

判断题投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。