单项选择题
A.无穷大B.比较大C.不大D.0
不属于开关电源电路构成的是()A.整流电路B.滤波电路C.PWM驱动电路D.变频电路
单项选择题不属于开关电源电路构成的是()
A.整流电路B.滤波电路C.PWM驱动电路D.变频电路
由于电力MOSFET靠多子导电,不存在少子储存效应,因此其开关过程非常迅速。
判断题由于电力MOSFET靠多子导电,不存在少子储存效应,因此其开关过程非常迅速。
对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是()A.IGBT的开关速度低于电力MOSFE...
多项选择题对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是()
A.IGBT的开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTOB.GTR的开关速度高,驱动电路复杂,存在二次击穿问题C.GTO的电压、电流容量大,但其关断增益也很大D.电力MOSFET的开关速度最快,但驱动电路比较复杂