单项选择题
A.波长为500mm的光B.波长为600mm的光C.波长为550mm的光D.波长为300mm的光
已知一半导体异质结为p-n-A-B，说明（）A.A为p型宽禁带半导体，B为n型窄禁带半导体B.A为p型窄禁带半...
单项选择题已知一半导体异质结为p-n-A-B，说明（）
A.A为p型宽禁带半导体，B为n型窄禁带半导体B.A为p型窄禁带半导体，B为n型宽禁带半导体C.A为n型宽禁带半导体，B为p型窄禁带半导体D.A为n型窄禁带半导体，B为p型宽禁带半导体
考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（）A.功函数为3....
单项选择题考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（）
A.功函数为3.5eV的半导体B.功函数为3eV的半导体C.功函数为4eV的半导体D.功函数为4.2eV的半导体
室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）A.硼掺杂浓度为1015cm-3B.磷掺杂浓度为1016cm-3C.纯...
单项选择题室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）
A.硼掺杂浓度为1015cm-3B.磷掺杂浓度为1016cm-3C.纯净硅D.硼掺杂浓度为1015cm-3，磷掺杂浓度为1016cm-3
