单项选择题
A.A为p型宽禁带半导体，B为n型窄禁带半导体B.A为p型窄禁带半导体，B为n型宽禁带半导体C.A为n型宽禁带半导体，B为p型窄禁带半导体D.A为n型窄禁带半导体，B为p型宽禁带半导体
考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（）A.功函数为3....
单项选择题考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（）
A.功函数为3.5eV的半导体B.功函数为3eV的半导体C.功函数为4eV的半导体D.功函数为4.2eV的半导体
室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）A.硼掺杂浓度为1015cm-3B.磷掺杂浓度为1016cm-3C.纯...
单项选择题室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）
A.硼掺杂浓度为1015cm-3B.磷掺杂浓度为1016cm-3C.纯净硅D.硼掺杂浓度为1015cm-3，磷掺杂浓度为1016cm-3
pn结雪崩击穿的的机理是（）A.热击穿B.隧道击穿C.齐纳击穿D.载流子的倍增效应
单项选择题pn结雪崩击穿的的机理是（）
A.热击穿B.隧道击穿C.齐纳击穿D.载流子的倍增效应
