计算题 假定GaAs导带电子分布在导带底之上0~3/2 kT范围内，价带空穴分布在价带顶之上0~3/2 kT范围内，计算辐射光子的波长范围和频带宽度。

T=300K，n型硅衬底杂质浓度为ND=5×1015cm-3，计算金属铝-硅肖特基接触平衡态的反向电流JsT、...

问答题T=300K，n型硅衬底杂质浓度为N_D=5×10¹⁵cm^-3，计算金属铝-硅肖特基接触平衡态的反向电流J_sT、正偏电压为5V时的电流。计算中取理查森常数A^*=264Acm^-2·K^-2。

T=300K，n型硅衬底杂质浓度为ND=1016cm-3，计算肖特基势垒高度ΦB0、半导体侧的接触电势差Vbi...

问答题T=300K，n型硅衬底杂质浓度为N_D=10¹⁶cm^-3，计算肖特基势垒高度Φ_B0、半导体侧的接触电势差V_bi、空间电荷区厚度W。

在NA=1015cm-3的p型硅衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO2层等效电荷面密度为3×1011cm-2，...

问答题在N_A=10¹⁵cm^-3的p型硅<111>衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO₂层等效电荷面密度为3×10¹¹cm^-2，计算MOSFET的阈值电压。