单项选择题
A.硅>锗>砷化镓B.硅>砷化镓>锗C.砷化镓>锗>硅D.砷化镓>硅>锗
半导体晶体导带底附近的量子态密度与能量之间符合什么关系（）A.抛物线B.双曲线C.e指数D.线性
单项选择题半导体晶体导带底附近的量子态密度与能量之间符合什么关系（）
A.抛物线B.双曲线C.e指数D.线性
关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子B.施主杂质电离后，电离中心带...
单项选择题关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）
A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子B.施主杂质电离后，电离中心带正电C.施主杂质是一种间隙式杂质D.单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
以下关于半导体能带特征描述正确的是（）A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体B.室温下，锗...
单项选择题以下关于半导体能带特征描述正确的是（）
A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体
