在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？（）

在硅表面LPCVD-Si3N4之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层。

填空题在硅表面LPCVD-Si₃N₄之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层。

‍铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性（）的特点。

填空题‍铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性（）的特点。

干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、（）刻蚀三种。

填空题干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、（）刻蚀三种。