多项选择题
A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.单晶硅
集成电路的制造工艺,需要采用隔离技术,常见的隔离方法有()。A.外延隔离B.埋层隔离C.PN结隔离D.介质隔离
多项选择题集成电路的制造工艺,需要采用隔离技术,常见的隔离方法有()。
A.外延隔离B.埋层隔离C.PN结隔离D.介质隔离
CMOS工艺中,将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是()。A.多晶硅B.金属铝C.金属铜D.铝硅铜合金
单项选择题CMOS工艺中,将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是()。
A.多晶硅B.金属铝C.金属铜D.铝硅铜合金
为了实现全局平坦化,在集成电路中,经常采用()工艺。A.反刻B.CMPC.SOGD.高温回流
单项选择题为了实现全局平坦化,在集成电路中,经常采用()工艺。
A.反刻B.CMPC.SOGD.高温回流