单项选择题
A.反刻B.CMPC.SOGD.高温回流
以下工艺中,方块电阻是一个重要的参数,一般用于衡量()工艺中杂质情况。A.氧化B.扩散C.光刻D.刻蚀
单项选择题以下工艺中,方块电阻是一个重要的参数,一般用于衡量()工艺中杂质情况。
A.氧化B.扩散C.光刻D.刻蚀
在制作MOS管时,采用LOCOS工艺容易出现()。A.沟道效应B.鸟嘴效应C.寄生效用D.闩锁效应
单项选择题在制作MOS管时,采用LOCOS工艺容易出现()。
A.沟道效应B.鸟嘴效应C.寄生效用D.闩锁效应
光刻时,将掩模版直接放在晶圆表面,与表面的光刻胶接触,该种光刻方式称为()。A.接触式B.接近式C.投影式D....
单项选择题光刻时,将掩模版直接放在晶圆表面,与表面的光刻胶接触,该种光刻方式称为()。
A.接触式B.接近式C.投影式D.步进式