CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是（）。

为了实现全局平坦化，在集成电路中，经常采用（）工艺。A.反刻B.CMPC.SOGD.高温回流

单项选择题为了实现全局平坦化，在集成电路中，经常采用（）工艺。

以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中杂质情况。A.氧化B.扩散C.光刻D.刻蚀

单项选择题以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中杂质情况。

在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。A.沟道效应B.鸟嘴效应C.寄生效用D.闩锁效应

单项选择题在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。