干氧氧化所形成的氧化膜结构最疏松。

干氧氧化和水汽氧化都是热氧化的方法。

判断题干氧氧化和水汽氧化都是热氧化的方法。

集成电路制造中，二氧化硅可以用热氧化、化学汽相沉积、原子层沉积法等方法获得。

判断题集成电路制造中，二氧化硅可以用热氧化、化学汽相沉积、原子层沉积法等方法获得。

二氧化硅可以作为器件的保护层和钝化层。

判断题二氧化硅可以作为器件的保护层和钝化层。