多项选择题
A.提高掺杂浓度B.提高温度C.采用迁移率高的半导体材料D.采用禁带宽度窄的半导体材料
电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电子电导有效质量（）空穴电导有效质量。A.大于B.等于C.小于D.无法...
单项选择题电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电子电导有效质量（）空穴电导有效质量。
A.大于B.等于C.小于D.无法比较
在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。A.电离杂质散射为主B.晶格散射为...
多项选择题在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
A.电离杂质散射为主B.晶格散射为主C.本征激发起主要作用D.杂质完全电离
下列情形中，室温下扩散系数最小的为（）。A.含硼1×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅B.含硼2×...
单项选择题下列情形中，室温下扩散系数最小的为（）。
A.含硼1×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅B.含硼2×1015cm-3、磷1×1015cm-3的硅C.含硼2×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅D.本征硅
