在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF₄的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A.铜B.铝C.金D.二氧化硅

单项选择题在刻蚀（）过程中假如我们在CF₅的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。A.CF4B.BCl3C.Cl2D.F2E.CHF3

多项选择题下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。

为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残...

单项选择题为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。