单项选择题
A. 激活杂质后 B. 一种物质在另一种物质中的运动 C. 预淀积 D. 高温多步退火
刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A. 有选择地形成被刻...
单项选择题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状 B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形 C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽 D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
浸入式光刻技术可以使193nm光刻工艺的最小线宽减小到45nm以下。它通过采用折射率高的液体代替透镜组件间的空...
单项选择题浸入式光刻技术可以使193nm光刻工艺的最小线宽减小到45nm以下。它通过采用折射率高的液体代替透镜组件间的空气，达到（）的目的。
A.增大光源波长； B.减小光源波长； C.减小光学系统数值孔径； D.增大光学系统数值孔径。
如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的（）。A. 诱生电荷B. ...
单项选择题如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的（）。
A. 诱生电荷 B. 鸟嘴效应 C. 陷阱电荷 D. 可移动电荷
