单项选择题
A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状 B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形 C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽 D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
浸入式光刻技术可以使193nm光刻工艺的最小线宽减小到45nm以下。它通过采用折射率高的液体代替透镜组件间的空...
单项选择题浸入式光刻技术可以使193nm光刻工艺的最小线宽减小到45nm以下。它通过采用折射率高的液体代替透镜组件间的空气，达到（）的目的。
A.增大光源波长； B.减小光源波长； C.减小光学系统数值孔径； D.增大光学系统数值孔径。
如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的（）。A. 诱生电荷B. ...
单项选择题如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的（）。
A. 诱生电荷 B. 鸟嘴效应 C. 陷阱电荷 D. 可移动电荷
采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层，是利用其具有的（）A.高电阻率；B.高化学稳定性；C.低介电常数；D.高介电强...
多项选择题采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层，是利用其具有的（）
A.高电阻率； B.高化学稳定性； C.低介电常数； D.高介电强度。
