半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。

在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

判断题在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

温度对氧化速率常数A、B都有影响，压强只影响氧化速率常数B。

判断题温度对氧化速率常数A、B都有影响，压强只影响氧化速率常数B。

硅热氧化形成SiO2体积将增加约1倍。

判断题硅热氧化形成SiO₂体积将增加约1倍。