案例分析题在下述条件下，是否有载流子的净复合或者净产生 在只有少数载流子别耗尽（例如，p_n<n0，而n_n=n_n0）的半导体区域。

在载流子完全耗尽（即n，p都大大小于ni）半导体区域。

问答题在载流子完全耗尽（即n，p都大大小于ni）半导体区域。

一块n型硅内掺有1016cm-3的金原子，试求它在小注入时的寿命。若一块p型硅内也掺有1016cm-3的金原子...

问答题

一块n型硅内掺有10¹⁶cm^-3的金原子，试求它在小注入时的寿命。若一块p型硅内也掺有10¹⁶cm^-3的金原子，它在小注入时的寿命又是多少？

把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命τ=τn+τp。

问答题把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命τ=τn+τp。