对MIS电容有明显影响的是（）。

B-T实验主要是用来测量（）。A.界面陷阱电荷QitB.氧化层中固定电荷QfC.氧化层中陷阱电荷QotD.氧化...

单项选择题B-T实验主要是用来测量（）。

某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。A.以下说法都不对B.半...

单项选择题某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。

考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm-3，Nc=2E15cm-3。假定冶金结宽度为0.7...

单项选择题考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm^-3，Nc=2E15cm^-3。假定冶金结宽度为0.70um。计算C-B结电压从2V变化到10V时，中性基区宽度的变化（）。