单项选择题
A.界面陷阱电荷QitB.氧化层中固定电荷QfC.氧化层中陷阱电荷QotD.氧化层中可动电荷Qm
某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。A.以下说法都不对B.半...
单项选择题某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。
A.以下说法都不对B.半导体表面势为正C.半导体表面处于积累状态D.半导体表面能带向下弯曲
考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm-3，Nc=2E15cm-3。假定冶金结宽度为0.7...
单项选择题考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm-3，Nc=2E15cm-3。假定冶金结宽度为0.70um。计算C-B结电压从2V变化到10V时，中性基区宽度的变化（）。
A.0.1umB.0.25umC.0.05umD.0.2um
对双极型晶体管特征频率影响最大的通常是（）。A.集电结势垒渡越时间B.发射极延迟时间C.基区渡越时间D.集电极...
单项选择题对双极型晶体管特征频率影响最大的通常是（）。
A.集电结势垒渡越时间B.发射极延迟时间C.基区渡越时间D.集电极延迟时间
