单项选择题
A.电子迁移率高，适合做高频器件B.带隙大可以做高温器件C.晶体结构为纤锌矿结构D.是直接带隙，光电转换效率高
以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）。A.非晶硅与单晶硅的raman谱的峰位不同B.非晶硅的光吸收系数高于单晶硅...
单项选择题以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）。
A.非晶硅与单晶硅的raman谱的峰位不同B.非晶硅的光吸收系数高于单晶硅，有利于光电转换C.非晶硅的能带结构与晶体硅相同，禁带宽度均为1.12eVD.由于非晶硅薄膜中存在比较高的缺陷和局域态密度，通常不能进行掺杂
以下不是外延硅的主要缺陷（）。A.位错B.夹层C.氧沉淀D.层错
单项选择题以下不是外延硅的主要缺陷（）。
A.位错B.夹层C.氧沉淀D.层错
以下对于硅外延生长描述不正确的是（）。A.生长速率随着气体流量的增加而增大B.不同的晶向生长速率不同C.温度...
单项选择题以下对于硅外延生长描述不正确的是（）。
A.生长速率随着气体流量的增加而增大B.不同的晶向生长速率不同C.温度影响硅外延生长速率，温度越高外延层的生长速率越高D.气体和载体的比例影响硅外延生长的速率，存在一个最佳比例生长速率最高
