单项选择题
A.载流子不消失，电流也不消失B.载流子消失，但电流不消失C.载流子消失，电流也消失D.载流子不消失，电流消失
Si的pn结，正向小偏压下，占据主导的电流分量是（）。A.产生电流B.漂移电流C.扩散电流D.复合电流
单项选择题Si的pn结，正向小偏压下，占据主导的电流分量是（）。
A.产生电流B.漂移电流C.扩散电流D.复合电流
迁移率的典型单位是（）。A.cm3/sB.cm2/VC.cm3/V·sD.cm2/V·s
单项选择题迁移率的典型单位是（）。
A.cm3/sB.cm2/VC.cm3/V·sD.cm2/V·s
关于NMOSFET发生GIDL现象时，描述错误的是（）。A.电子流向漏极B.空穴流向源极C.现象区处于强反型状...
单项选择题关于NMOSFET发生GIDL现象时，描述错误的是（）。
A.电子流向漏极B.空穴流向源极C.现象区处于强反型状态D.p+区价带中的电子隧穿至n+区的导带内
