计算题 n型硅中，掺杂浓度ND=10¹⁶cm^-3，光注入的非平衡载流子浓度∆n=∆p=10¹⁴cm^-3。计算无光照和有光照的电导率。

一块半导体材料的寿命 τ =10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止 20us 后， 其中...

问答题一块半导体材料的寿命 τ =10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止 20us 后， 其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？

有一块n型硅样品，寿命是1us，无光照时电阻率是10Ωcm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴...

问答题有一块n型硅样品，寿命是1us，无光照时电阻率是10Ω∙cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是10²²cm^-3∙s^-1，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？

求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。

问答题求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。