计算题 有一块n型硅样品，寿命是1us，无光照时电阻率是10Ω∙cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是10²²cm^-3∙s^-1，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？

求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。

问答题求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。

写出光照下过剩载流子所满足的方程

问答题写出光照下过剩载流子所满足的方程

在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3， 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知： ...

问答题

在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为10¹³cm^-3， 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知：

求：U=？