问答题
(1)气体或气相源材料进入反应器(2)源材料扩散穿过边界层并接触衬底(3)源材料吸附在衬底表面......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
热生长氧化物和CVD氧化物的本质区别是什么?
问答题热生长氧化物和CVD氧化物的本质区别是什么?
半导体工艺中常用的三种CVD反应器类型
问答题半导体工艺中常用的三种CVD反应器类型
过刻蚀
名词解释过刻蚀