单项选择题
A.扩散 B.化学机械抛光 C.刻蚀 D.离子注入
在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A.刻蚀B.离子注入C.光刻D.金属化
单项选择题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。
A.刻蚀 B.离子注入 C.光刻 D.金属化
NMOS源漏的掺杂类型分别为（）A.P+、P+B.P+，N+C.N+，N+D.N+，P+
单项选择题NMOS源漏的掺杂类型分别为（）
A.P+、P+ B.P+，N+ C.N+，N+ D.N+，P+
NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。A.P阱，P沟B.P阱、N沟C.N阱、N沟D.N阱、P沟
单项选择题NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。
A.P阱，P沟 B.P阱、N沟 C.N阱、N沟 D.N阱、P沟
