单项选择题
A.平行;Cint=(tdi/εdi)×WLB.平行;Cint=(εdi/tdi)×WLC.垂直;Cint=(tdi/εdi)×WLD.垂直;Cint=(εdi/tdi)×WL
为了保证新器件与现有器件兼容,电压不能随意地缩放,所以恒定电场缩小模式不是一种现实可行的选择。热载流子效应和栅...
填空题为了保证新器件与现有器件兼容,电压不能随意地缩放,所以恒定电场缩小模式不是一种现实可行的选择。热载流子效应和栅氧击穿这样一些物理效应,使恒定()缩小模式不再被使用。
当晶体管的W值较小时,受窄沟道效应的影响,晶体管的阈值电压()(填“升高”或“降低”)。
填空题当晶体管的W值较小时,受窄沟道效应的影响,晶体管的阈值电压()(填“升高”或“降低”)。
随着MOS器件尺寸的缩小,源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽,...
填空题随着MOS器件尺寸的缩小,源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽,导致器件的阈值电压()。(填“升高”或“降低”)