多项选择题
A.简并半导体通常对应于掺杂浓度较高的情况，杂质没有完全电离B.简并半导体中费米能级非常靠近甚至已经进入价带或者导带C.简并半导体中电子和空穴的占据能级的几率可以玻尔兹曼分布函数来描述D.费米积分随着费米能级向上移动而减小
n型半导体发生弱简并的条件是（）。A.B.C.D.
单项选择题n型半导体发生弱简并的条件是（）。
A.B.C.D.
关于强电离区半导体，以下描述正确的是（）。A.当半导体中包含两种类型的杂质时，需要考虑杂质的相互补偿B.温度越...
多项选择题关于强电离区半导体，以下描述正确的是（）。
A.当半导体中包含两种类型的杂质时，需要考虑杂质的相互补偿B.温度越高，n型半导体的费米能级越靠近导带底C.半导体掺杂浓度越低，达到本征激发区的温度越高D.即使位于强电离区，少数载流子浓度也随温度剧烈变化
关于n型半导体，下列描述有误的是（）。A.在低温弱电离区，n型半导体中费米能级位于导带底和杂质能级之间B.强电...
多项选择题关于n型半导体，下列描述有误的是（）。
A.在低温弱电离区，n型半导体中费米能级位于导带底和杂质能级之间B.强电离区的温度范围高于过渡区的温度范围C.在强电离区，n型半导体中电子浓度近似等于杂质浓度，且不随温度发生变化D.在计算过渡区内半导体的载流子浓度时无需考虑本征载流子的影响
