单项选择题
A.B.C.D.
关于强电离区半导体，以下描述正确的是（）。A.当半导体中包含两种类型的杂质时，需要考虑杂质的相互补偿B.温度越...
多项选择题关于强电离区半导体，以下描述正确的是（）。
A.当半导体中包含两种类型的杂质时，需要考虑杂质的相互补偿B.温度越高，n型半导体的费米能级越靠近导带底C.半导体掺杂浓度越低，达到本征激发区的温度越高D.即使位于强电离区，少数载流子浓度也随温度剧烈变化
关于n型半导体，下列描述有误的是（）。A.在低温弱电离区，n型半导体中费米能级位于导带底和杂质能级之间B.强电...
多项选择题关于n型半导体，下列描述有误的是（）。
A.在低温弱电离区，n型半导体中费米能级位于导带底和杂质能级之间B.强电离区的温度范围高于过渡区的温度范围C.在强电离区，n型半导体中电子浓度近似等于杂质浓度，且不随温度发生变化D.在计算过渡区内半导体的载流子浓度时无需考虑本征载流子的影响
下列关于杂质半导体的描述有误的是（）。A.杂质半导体中杂质浓度大于本征载流子浓度B.杂质能级上可以容纳两个自旋...
多项选择题下列关于杂质半导体的描述有误的是（）。
A.杂质半导体中杂质浓度大于本征载流子浓度B.杂质能级上可以容纳两个自旋相反的电子C.杂质能级上电子的占据几率可以用标准的费米分布函数来描述D.n型半导体中的载流子浓度等于杂质能级上电子的浓度
