多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。

多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。

判断题多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。

纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。

判断题纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。

PCD方法可用于测量（）。A.少子寿命B.电阻率C.曲翘度D.平整度

单项选择题PCD方法可用于测量（）。