对移相掩膜（PSM）表述正确的是（）。

对正性光刻胶特性表述正确的是（）。A.分辨率高B.显影时曝光部分不溶解，未曝光部分溶解C.分辨率低D.显影时曝...

多项选择题对正性光刻胶特性表述正确的是（）。

‏提高光刻分辨率的途径有（）。A.增大数值孔径NAB.增大曝光波长C.减小曝光波长D.减小数值孔径NA

多项选择题‏提高光刻分辨率的途径有（）。

‏光刻工艺流程中后烘的作用是（）。A.消除驻波效应B.蒸发PR中所有有机溶剂C.提高光刻胶和表面的黏附性D.平...

多项选择题‏光刻工艺流程中后烘的作用是（）。