单项选择题
A.5% B.20% C.10% D.15%
非晶硅的PIN结构的P部分是采用（）形成的。A.SiH4加PH3B.SiH4加BH3C.PH3加BH3D.Si...
单项选择题非晶硅的PIN结构的P部分是采用（）形成的。
A.SiH4加PH3 B.SiH4加BH3 C.PH3加BH3 D.SiH4加B2H6
非晶硅的制备需要的冷却速度至少（）。A.104℃/sB.105℃/sC.103℃/sD.102℃/s
单项选择题非晶硅的制备需要的冷却速度至少（）。
A.104℃/s B.105℃/s C.103℃/s D.102℃/s
非晶硅的禁带宽度为（）。A.2.12eVB.1.6eVC.1.5eV，并且在一定程度上可调D.1.12eV
单项选择题非晶硅的禁带宽度为（）。
A.2.12eV B.1.6eV C.1.5eV，并且在一定程度上可调 D.1.12eV
