为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。

在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。

填空题阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。

为提高跨导g的截止角频率ω，应当（）μ，（）L，（）V。

填空题为提高跨导g的截止角频率ω，应当（）μ，（）L，（）V。