若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。

对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。A.高频B.低频C.VG=Vi+2Vs...

单项选择题对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。

‏金属-半导体（p型中等掺杂）接触在（）条件下形成阻挡层，其电学特性为（）。A.Wm＞Ws；整流特性B.Wm＞...

单项选择题‏金属-半导体（p型中等掺杂）接触在（）条件下形成阻挡层，其电学特性为（）。

杂质半导体进入全电离的温度存在（）规律，进入本征激发区的温度存在（）规律。A.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽...

单项选择题杂质半导体进入全电离的温度存在（）规律，进入本征激发区的温度存在（）规律。