对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。A.高频B.低频C

‏金属-半导体（p型中等掺杂）接触在（）条件下形成阻挡层，其电学特性为（）。A.Wm＞Ws；整流特性B.Wm＞...

单项选择题‏金属-半导体（p型中等掺杂）接触在（）条件下形成阻挡层，其电学特性为（）。

A.W_m＞W_s；整流特性
B.W_m＞W_s；欧姆特性
C.W_m＜W_s；整流特性
D.W_m＜W_s；欧姆特性

杂质半导体进入全电离的温度存在（）规律，进入本征激发区的温度存在（）规律。A.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽...

单项选择题杂质半导体进入全电离的温度存在（）规律，进入本征激发区的温度存在（）规律。

A.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越低
B.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越高
C.杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越低
D.杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越高

对于强N型半导体的直接复合，小注入时的非平衡载流子的寿命与（）成反比，大注入时则与（）成反比。ΔA.n0；Δp...

单项选择题对于强N型半导体的直接复合，小注入时的非平衡载流子的寿命与（）成反比，大注入时则与（）成反比。Δ

A.n0；Δp
B.n0；Δn
C.p0；Δp
D.p0；Δn

半导体物理