对于同型异质结的能带结构，以下描述正确的是（）

A.△Ec 对p 区电子向n 区的运动起势垒作用，△Ev 对n 区空穴向p 区运动也起势垒作用。
B.△Ec 对n区电子向p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对p 区空穴向n 区运动没有明显的影响。
C.△Ec 对p 区电子向n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对n 区空穴向p 区运动没有明显的影响。
D.△Ec 对p区电子向n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对n 区空穴向p 区运动起势垒作用。

A.在异质pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
B.在异质pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
C.在异质pn 结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
D.在异质pn 结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度。

A.可动离子
B.界面态
C.电离陷阱电荷
D.固定电荷