单项选择题
A.在异质pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。B.在异质pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。C.在异质pn 结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。D.在异质pn 结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度。
Si-SiO2系统的绝缘层中的主要带电形式有（）A.可动离子B.界面态C.电离陷阱电荷D.固定电荷
多项选择题Si-SiO2系统的绝缘层中的主要带电形式有（）
A.可动离子B.界面态C.电离陷阱电荷D.固定电荷
对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生...
多项选择题对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？（）
A.金属和半导体之间存在功函数差B.绝缘层中存在电荷C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态D.外加偏压
在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆...
多项选择题在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）
A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触D.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
