多项选择题
A.可动离子B.界面态C.电离陷阱电荷D.固定电荷
对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生...
多项选择题对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？（）
A.金属和半导体之间存在功函数差B.绝缘层中存在电荷C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态D.外加偏压
在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆...
多项选择题在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）
A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触D.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）A.平坦能带状...
单项选择题对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）
A.平坦能带状态B.深耗尽状态C.少子反型状态D.本征状态
