多项选择题
A.TiN是势垒层（阻挡层）B.两个都是导电层C.Ti是粘结层或焊接层D.TiN防反射层
Poly-Si gate的刻蚀应采用什么特性和什么方法的刻蚀？（）A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.各向同性刻蚀D....
多项选择题Poly-Si gate的刻蚀应采用什么特性和什么方法的刻蚀？（）
A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.各向同性刻蚀D.各向异性刻蚀
在STI工艺中，缓冲氧化层和氮化硅采用工艺技术正确的是（）。A.氮化硅用常压CVD工艺B.氧化层用CVD工艺C...
多项选择题在STI工艺中，缓冲氧化层和氮化硅采用工艺技术正确的是（）。
A.氮化硅用常压CVD工艺B.氧化层用CVD工艺C.氮化硅用低压CVD工艺D.氧化层用热氧化工艺
1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。A.浅槽隔离工艺B.铝栅工艺C.多晶硅栅工艺D.硅外延片衬底
多项选择题1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。
A.浅槽隔离工艺B.铝栅工艺C.多晶硅栅工艺D.硅外延片衬底
