集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。

判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。

制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。

判断题制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。

在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。

判断题在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。